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起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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2500 | ¥2.175552 | ¥5438.88 |
5000 | ¥2.061103 | ¥10305.52 |
12500 | ¥1.908359 | ¥23854.49 |
25000 | ¥1.889499 | ¥47237.47 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3.7 A
漏源电阻 48 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 1.56 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
正向跨导(Min) 19.2 S
晶体管类型 2 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMN6066SSS-13
型号:DMN6066SSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥2.175552 |
5000+: | ¥2.061103 |
12500+: | ¥1.908359 |
25000+: | ¥1.889499 |
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