货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥19.873325 | ¥19.87 |
200 | ¥7.690112 | ¥1538.02 |
500 | ¥7.430896 | ¥3715.45 |
1000 | ¥7.286886 | ¥7286.89 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 200 A
漏源电阻 2.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 70 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 256 S
上升时间 140 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 99.445 mg
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0NTMJS1D5N04CLTWG
型号:NTMJS1D5N04CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥19.873325 |
200+: | ¥7.690112 |
500+: | ¥7.430896 |
1000+: | ¥7.286886 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥19.87