
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥70.578543 | ¥70.58 |
| 10 | ¥59.248829 | ¥592.49 |
| 100 | ¥47.927688 | ¥4792.77 |
| 500 | ¥42.602008 | ¥21301.00 |
| 1000 | ¥36.477963 | ¥36477.96 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 260 A
漏源电阻 1.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 128 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 49 ns
典型接通延迟时间 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IAUT260N10S5N019 SP001676336
单位重量 771.020 mg
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0IAUT260N10S5N019ATMA1
型号:IAUT260N10S5N019ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥70.578543 |
| 10+: | ¥59.248829 |
| 100+: | ¥47.927688 |
| 500+: | ¥42.602008 |
| 1000+: | ¥36.477963 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥70.58