DMJ7N70SK3-13
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- 制造商编号：
- DMJ7N70SK3-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 700V 3.9A
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥21.250671 | ￥21.25 |
| 10 | ￥18.998099 | ￥189.98 |
| 25 | ￥18.031903 | ￥450.80 |
| 100 | ￥13.52251 | ￥1352.25 |
| 250 | ￥13.393023 | ￥3348.26 |
| 500 | ￥11.461479 | ￥5730.74 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
DMJ7N70SK3-13
制造商
DIODES(美台)
商品描述
MOSFET N-CH 700V 3.9A
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.25Ohm @ 2.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
13.9nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
351pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
28W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
TO-252
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
DMJ7N70SK3-13 同类别型号
注
DMJ7N70SK3-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMJ7N70SK3-13
数据手册PDF
。
DMJ7N70SK3-13
型号：DMJ7N70SK3-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥21.250671 |
| 10+： | ￥18.998099 |
| 25+： | ￥18.031903 |
| 100+： | ￥13.52251 |
| 250+： | ￥13.393023 |
| 500+： | ￥11.461479 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥21.25