
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥48.582915 | ¥48.58 |
| 10 | ¥40.841363 | ¥408.41 |
| 100 | ¥33.04359 | ¥3304.36 |
| 500 | ¥29.372624 | ¥14686.31 |
| 1000 | ¥25.150236 | ¥25150.24 |
| 2000 | ¥23.681648 | ¥47363.30 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 300 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 114 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
正向跨导(Min) 19 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC13DN30NSFD SP000854374
单位重量 600 mg
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0BSC13DN30NSFDATMA1
型号:BSC13DN30NSFDATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥48.582915 |
| 10+: | ¥40.841363 |
| 100+: | ¥33.04359 |
| 500+: | ¥29.372624 |
| 1000+: | ¥25.150236 |
| 2000+: | ¥23.681648 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥48.58