货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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4000 | ¥1.999375 | ¥7997.50 |
8000 | ¥1.894088 | ¥15152.70 |
12000 | ¥1.753801 | ¥21045.61 |
28000 | ¥1.736482 | ¥48621.50 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 11.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.8 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQT1N60CTF_WS
单位重量 112 mg
购物车
0FQT1N60CTF-WS
型号:FQT1N60CTF-WS
品牌:ON
供货:锐单
单价:
4000+: | ¥1.999375 |
8000+: | ¥1.894088 |
12000+: | ¥1.753801 |
28000+: | ¥1.736482 |
货期:1-2天
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