货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.103032 | ¥9.10 |
10 | ¥7.880982 | ¥78.81 |
100 | ¥5.455585 | ¥545.56 |
500 | ¥4.558001 | ¥2279.00 |
1000 | ¥3.879139 | ¥3879.14 |
2000 | ¥3.454913 | ¥6909.83 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 11.5 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
上升时间 21 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 7 ns
高度 1.8 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 FQT1N60CTF_WS
单位重量 112 mg
购物车
0FQT1N60CTF-WS
型号:FQT1N60CTF-WS
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.103032 |
10+: | ¥7.880982 |
100+: | ¥5.455585 |
500+: | ¥4.558001 |
1000+: | ¥3.879139 |
2000+: | ¥3.454913 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.10