货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.560805 | ¥4682.41 |
6000 | ¥1.481434 | ¥8888.60 |
9000 | ¥1.375654 | ¥12380.89 |
30000 | ¥1.343904 | ¥40317.12 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 240 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 460 mV
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 8.8 S
上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
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0SQ2364EES-T1_GE3
型号:SQ2364EES-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.560805 |
6000+: | ¥1.481434 |
9000+: | ¥1.375654 |
30000+: | ¥1.343904 |
货期:1-2天
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