SQ2364EES-T1_GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SQ2364EES-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 60V SOT-23
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.276202 | ￥3828.61 |
| 6000 | ￥1.211303 | ￥7267.82 |
| 9000 | ￥1.124811 | ￥10123.30 |
| 30000 | ￥1.098852 | ￥32965.56 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 240 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 460 mV
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导（Min） 8.8 S
上升时间 11 ns
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
SQ2364EES-T1_GE3 同类别型号
注
SQ2364EES-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SQ2364EES-T1_GE3、查询SQ2364EES-T1_GE3代理商；
SQ2364EES-T1_GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SQ2364EES-T1_GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SQ2364EES-T1_GE3
替代型号
、SQ2364EES-T1_GE3
数据手册PDF。
SQ2364EES-T1_GE3
型号：SQ2364EES-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.276202 |
| 6000+： | ￥1.211303 |
| 9000+： | ￥1.124811 |
| 30000+： | ￥1.098852 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00