货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥9.390578 | ¥9.39 |
10 | ¥8.278536 | ¥82.79 |
25 | ¥7.77441 | ¥194.36 |
100 | ¥5.644231 | ¥564.42 |
250 | ¥5.443076 | ¥1360.77 |
500 | ¥4.715552 | ¥2357.78 |
1000 | ¥4.013237 | ¥4013.24 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 30 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 100 ns
正向跨导(Min) 6.5 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 15 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
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0RUQ050N02HZGTR
型号:RUQ050N02HZGTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.390578 |
10+: | ¥8.278536 |
25+: | ¥7.77441 |
100+: | ¥5.644231 |
250+: | ¥5.443076 |
500+: | ¥4.715552 |
1000+: | ¥4.013237 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.39