FDD26AN06A0-F085
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- 制造商编号：
- FDD26AN06A0-F085
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：2440
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥18.70059 | ￥18.70 |
| 10 | ￥16.773862 | ￥167.74 |
| 25 | ￥15.929503 | ￥398.24 |
| 100 | ￥11.945711 | ￥1194.57 |
| 250 | ￥11.83124 | ￥2957.81 |
| 500 | ￥10.124952 | ￥5062.48 |
| 1000 | ￥8.24781 | ￥8247.81 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
FDD26AN06A0-F085
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
7A (Ta), 36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
26mOhm @ 36A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
17nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
75W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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注
FDD26AN06A0-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、FDD26AN06A0-F085
数据手册PDF。
FDD26AN06A0-F085
型号：FDD26AN06A0-F085
品牌：ON
供货：锐单
库存：2440 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥18.70059 |
| 10+： | ￥16.773862 |
| 25+： | ￥15.929503 |
| 100+： | ￥11.945711 |
| 250+： | ￥11.83124 |
| 500+： | ￥10.124952 |
| 1000+： | ￥8.24781 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥18.70