
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.833372 | ¥2500.12 |
| 6000 | ¥0.767965 | ¥4607.79 |
| 9000 | ¥0.734377 | ¥6609.39 |
| 15000 | ¥0.696497 | ¥10447.45 |
| 21000 | ¥0.673958 | ¥14153.12 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 9.5 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.8 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM850N06CX
单位重量 8 mg
购物车
0TSM850N06CX RFG
型号:TSM850N06CX RFG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.833372 |
| 6000+: | ¥0.767965 |
| 9000+: | ¥0.734377 |
| 15000+: | ¥0.696497 |
| 21000+: | ¥0.673958 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00