货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.385529 | ¥4156.59 |
6000 | ¥1.289975 | ¥7739.85 |
15000 | ¥1.242198 | ¥18632.97 |
30000 | ¥1.210346 | ¥36310.38 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.7 A
漏源电阻 51 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 30 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3469DV-T1-BE3 SI3469DV-E3
单位重量 20 mg
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0SI3469DV-T1-E3
型号:SI3469DV-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.385529 |
6000+: | ¥1.289975 |
15000+: | ¥1.242198 |
30000+: | ¥1.210346 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00