货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.778943 | ¥2336.83 |
6000 | ¥0.76155 | ¥4569.30 |
9000 | ¥0.674507 | ¥6070.56 |
30000 | ¥0.665773 | ¥19973.19 |
75000 | ¥0.565704 | ¥42427.80 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 2.1 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.4 ns
正向跨导(Min) 8.5 S
上升时间 2.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS205N H6327 SP000929180
单位重量 8 mg
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0BSS205NH6327XTSA1
型号:BSS205NH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.778943 |
6000+: | ¥0.76155 |
9000+: | ¥0.674507 |
30000+: | ¥0.665773 |
75000+: | ¥0.565704 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00