货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥28.399604 | ¥28399.60 |
2000 | ¥26.611546 | ¥53223.09 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 178 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 123 S
上升时间 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 83 ns
典型接通延迟时间 33 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB015N08N5 SP001226034
单位重量 1.600 g
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0IPB015N08N5ATMA1
型号:IPB015N08N5ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥28.399604 |
2000+: | ¥26.611546 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00