
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.19014 | ¥7.19 |
| 10 | ¥4.864819 | ¥48.65 |
| 100 | ¥3.295226 | ¥329.52 |
| 500 | ¥2.5704 | ¥1285.20 |
| 1000 | ¥2.329912 | ¥2329.91 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 9.5 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.8 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM850N06CX
单位重量 8 mg
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0TSM850N06CX RFG
型号:TSM850N06CX RFG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.19014 |
| 10+: | ¥4.864819 |
| 100+: | ¥3.295226 |
| 500+: | ¥2.5704 |
| 1000+: | ¥2.329912 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.19