货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥6.23167 | ¥6.23 |
10 | ¥4.823314 | ¥48.23 |
100 | ¥2.895234 | ¥289.52 |
500 | ¥2.681114 | ¥1340.56 |
1000 | ¥1.823262 | ¥1823.26 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 68 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 9.5 nC
耗散功率 1.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 9.8 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM850N06CX
单位重量 8 mg
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0TSM850N06CX RFG
型号:TSM850N06CX RFG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.23167 |
10+: | ¥4.823314 |
100+: | ¥2.895234 |
500+: | ¥2.681114 |
1000+: | ¥1.823262 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.23