货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.036486 | ¥6.04 |
10 | ¥4.326149 | ¥43.26 |
100 | ¥2.180681 | ¥218.07 |
500 | ¥1.932431 | ¥966.22 |
1000 | ¥1.50384 | ¥1503.84 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 2.1 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.4 ns
正向跨导(Min) 8.5 S
上升时间 2.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS205N H6327 SP000929180
单位重量 8 mg
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0BSS205NH6327XTSA1
型号:BSS205NH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.036486 |
10+: | ¥4.326149 |
100+: | ¥2.180681 |
500+: | ¥1.932431 |
1000+: | ¥1.50384 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.04