PHD9NQ20T,118
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- 制造商编号：
- PHD9NQ20T,118
- 制造商：
- Nexperia(安世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：10000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ￥1.957456 | ￥19574.56 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PHD9NQ20T,118
制造商
Nexperia(安世)
商品描述
MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
400mOhm @ 4.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
24nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
959pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
88W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
PHD9NQ20T,118 同类别型号
注
PHD9NQ20T,118品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、PHD9NQ20T,118
数据手册PDF。
PHD9NQ20T,118
型号：PHD9NQ20T,118
品牌：Nexperia
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10000+： | ￥1.957456 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00