
货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥13.810562 | ¥34526.40 |
| 5000 | ¥13.299101 | ¥66495.51 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 830 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 70 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 17 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0R6006KND3TL1
型号:R6006KND3TL1
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥13.810562 |
| 5000+: | ¥13.299101 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00