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IPDD60R050G7XTMA1

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPDD60R050G7XTMA1
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET NCH 650V 135A PG-HDSOP-10
渠道:
digikey

库存 :3335

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 132.083617 132.08
10 113.23055 1132.31
100 94.361285 9436.13
500 83.259532 41629.77

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 47 A

漏源电阻 50 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3 V

栅极电荷 68 nC

耗散功率 278 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 3 ns

上升时间 6 ns

典型关闭延迟时间 72 ns

典型接通延迟时间 22 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPDD60R050G7 SP001632818

单位重量 763.560 mg

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IPDD60R050G7XTMA1

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型号:IPDD60R050G7XTMA1

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:3335 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥132.083617
10+: ¥113.23055
100+: ¥94.361285
500+: ¥83.259532

货期:7-10天

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