货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥132.083617 | ¥132.08 |
10 | ¥113.23055 | ¥1132.31 |
100 | ¥94.361285 | ¥9436.13 |
500 | ¥83.259532 | ¥41629.77 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 47 A
漏源电阻 50 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 278 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 6 ns
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPDD60R050G7 SP001632818
单位重量 763.560 mg
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0IPDD60R050G7XTMA1
型号:IPDD60R050G7XTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥132.083617 |
10+: | ¥113.23055 |
100+: | ¥94.361285 |
500+: | ¥83.259532 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥132.08