
货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 800 | ¥18.092093 | ¥14473.67 |
| 1600 | ¥15.258383 | ¥24413.41 |
| 2400 | ¥14.495496 | ¥34789.19 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 48 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 330 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 83 S
上升时间 31 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFS4229TRLPBF SP001557392
单位重量 330 mg
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0IRFS4229TRLPBF
型号:IRFS4229TRLPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 800+: | ¥18.092093 |
| 1600+: | ¥15.258383 |
| 2400+: | ¥14.495496 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00