货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.651192 | ¥11.65 |
10 | ¥9.680558 | ¥96.81 |
100 | ¥7.705609 | ¥770.56 |
500 | ¥6.520208 | ¥3260.10 |
1000 | ¥5.532303 | ¥5532.30 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 194 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 64 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 249 S
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0CSD18511KCS
型号:CSD18511KCS
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.651192 |
10+: | ¥9.680558 |
100+: | ¥7.705609 |
500+: | ¥6.520208 |
1000+: | ¥5.532303 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.65