
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥9.14299 | ¥9.14 |
| 10 | ¥7.778167 | ¥77.78 |
| 100 | ¥5.805137 | ¥580.51 |
| 500 | ¥4.560894 | ¥2280.45 |
| 1000 | ¥3.524159 | ¥3524.16 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 7.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 17.1 nC
耗散功率 37 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1 ns
上升时间 6 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 2 ns
开发套件 TPS25740EVM-741, TPS25740AEVM-741, TPS25740BEVM-741
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.400 mg
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0CSD17578Q3A
型号:CSD17578Q3A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥9.14299 |
| 10+: | ¥7.778167 |
| 100+: | ¥5.805137 |
| 500+: | ¥4.560894 |
| 1000+: | ¥3.524159 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥9.14