
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ¥1.951814 | ¥3903.63 |
| 6000 | ¥1.849102 | ¥11094.61 |
| 10000 | ¥1.712134 | ¥17121.34 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 7.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 41.3 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.7 ns
上升时间 4.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 23.4 ns
典型接通延迟时间 5.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMT6010LFG-7
型号:DMT6010LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2000+: | ¥1.951814 |
| 6000+: | ¥1.849102 |
| 10000+: | ¥1.712134 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00