货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥42.239638 | ¥42.24 |
10 | ¥35.418252 | ¥354.18 |
100 | ¥28.653606 | ¥2865.36 |
500 | ¥25.469872 | ¥12734.94 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 950 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0R6008FNX
型号:R6008FNX
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥42.239638 |
10+: | ¥35.418252 |
100+: | ¥28.653606 |
500+: | ¥25.469872 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥42.24