SIHFR1N60ATR-GE3
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SIHFR1N60ATR-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：2000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ￥5.236163 | ￥10472.33 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1.4 A
漏源电阻 7 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 36 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 0.88 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 9.8 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SIHFR1N60ATR-GE3 同类别型号
注
SIHFR1N60ATR-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHFR1N60ATR-GE3、查询SIHFR1N60ATR-GE3代理商；
SIHFR1N60ATR-GE3价格批发咨询客服；这里拥有
SIHFR1N60ATR-GE3中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到SIHFR1N60ATR-GE3
替代型号
、SIHFR1N60ATR-GE3
数据手册PDF。
SIHFR1N60ATR-GE3
型号：SIHFR1N60ATR-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 2000+： | ￥5.236163 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00