货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥61.134442 | ¥61.13 |
10 | ¥54.881767 | ¥548.82 |
100 | ¥44.971153 | ¥4497.12 |
500 | ¥38.282818 | ¥19141.41 |
1000 | ¥32.286833 | ¥32286.83 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 7.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 62 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
购物车
0SQD50N06-09L_GE3
型号:SQD50N06-09L_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥61.134442 |
10+: | ¥54.881767 |
100+: | ¥44.971153 |
500+: | ¥38.282818 |
1000+: | ¥32.286833 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥61.13