TSM8N80CI C0G
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- 制造商编号：
- TSM8N80CI C0G
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHANNEL 800V 8A ITO220
- 渠道：
- digikey
库存 ：995
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥33.979066 | ￥33.98 |
| 10 | ￥30.469955 | ￥304.70 |
| 25 | ￥28.79942 | ￥719.99 |
| 100 | ￥23.040277 | ￥2304.03 |
| 250 | ￥21.760934 | ￥5440.23 |
| 500 | ￥20.480851 | ￥10240.43 |
| 1000 | ￥17.536657 | ￥17536.66 |
| 2500 | ￥17.280641 | ￥43201.60 |
| 5000 | ￥15.744539 | ￥78722.69 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM8N80CI C0G
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
MOSFET N-CHANNEL 800V 8A ITO220
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.05Ohm @ 4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
41nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1921pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40.3W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
ITO-220AB
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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注
TSM8N80CI C0G品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM8N80CI C0G
数据手册PDF。
TSM8N80CI C0G
型号：TSM8N80CI C0G
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：995 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥33.979066 |
| 10+： | ￥30.469955 |
| 25+： | ￥28.79942 |
| 100+： | ￥23.040277 |
| 250+： | ￥21.760934 |
| 500+： | ￥20.480851 |
| 1000+： | ￥17.536657 |
| 2500+： | ￥17.280641 |
| 5000+： | ￥15.744539 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥33.98