
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.477656 | ¥4432.97 |
| 6000 | ¥1.373864 | ¥8243.18 |
| 9000 | ¥1.325818 | ¥11932.36 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4.7 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI3443BDV-T1-BE3 SI3443BDV-E3
单位重量 20 mg
购物车
0SI3443BDV-T1-E3
型号:SI3443BDV-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.477656 |
| 6000+: | ¥1.373864 |
| 9000+: | ¥1.325818 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00