SQD50N06-09L_GE3
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- 制造商编号：
- SQD50N06-09L_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 60V 50A
- 渠道：
- digikey
库存 ：4210
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥73.890166 | ￥73.89 |
| 10 | ￥62.018785 | ￥620.19 |
| 100 | ￥50.173412 | ￥5017.34 |
| 500 | ￥44.598147 | ￥22299.07 |
| 1000 | ￥38.187143 | ￥38187.14 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 7.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导（Min） 62 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 2.38 mm
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
SQD50N06-09L_GE3 同类别型号
注
SQD50N06-09L_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQD50N06-09L_GE3
数据手册PDF。
SQD50N06-09L_GE3
型号：SQD50N06-09L_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：4210 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥73.890166 |
| 10+： | ￥62.018785 |
| 100+： | ￥50.173412 |
| 500+： | ￥44.598147 |
| 1000+： | ￥38.187143 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥73.89