
货期: 8周-10周
起订量:2000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2000 | ¥8.194376 | ¥16388.75 |
| 6000 | ¥7.804039 | ¥46824.23 |
| 10000 | ¥7.44387 | ¥74438.70 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 6.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 37.7 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 6.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMT8008LFG-7
型号:DMT8008LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2000+: | ¥8.194376 |
| 6000+: | ¥7.804039 |
| 10000+: | ¥7.44387 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00