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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥51.935622 | ¥51.94 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
产品 OptiMOS Power
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 800 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 243 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
正向跨导(Min) 160 S
上升时间 36 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 74 ns
典型接通延迟时间 37 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 OptiMOS Power Transistor
零件号别名 IPB010N06N SP000917410
单位重量 1.600 g
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0IPB010N06NATMA1
型号:IPB010N06NATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥51.935622 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥51.94