
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥39.101233 | ¥39.10 |
| 10 | ¥35.063606 | ¥350.64 |
| 25 | ¥33.151046 | ¥828.78 |
| 100 | ¥26.520836 | ¥2652.08 |
| 250 | ¥25.047456 | ¥6261.86 |
| 500 | ¥23.574077 | ¥11787.04 |
| 1000 | ¥20.185303 | ¥20185.30 |
| 2500 | ¥19.890628 | ¥49726.57 |
| 5000 | ¥18.122572 | ¥90612.86 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 740 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 200 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 27 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 23 ns
高度 4.5 mm
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.600 g
购物车
0IXFA10N60P
型号:IXFA10N60P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥39.101233 |
| 10+: | ¥35.063606 |
| 25+: | ¥33.151046 |
| 100+: | ¥26.520836 |
| 250+: | ¥25.047456 |
| 500+: | ¥23.574077 |
| 1000+: | ¥20.185303 |
| 2500+: | ¥19.890628 |
| 5000+: | ¥18.122572 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥39.10