
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥30.003795 | ¥30.00 |
| 10 | ¥19.184246 | ¥191.84 |
| 100 | ¥12.95467 | ¥1295.47 |
| 500 | ¥10.28524 | ¥5142.62 |
| 1000 | ¥9.637886 | ¥9637.89 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 6.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 37.7 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 6.9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
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0DMT8008LFG-7
型号:DMT8008LFG-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥30.003795 |
| 10+: | ¥19.184246 |
| 100+: | ¥12.95467 |
| 500+: | ¥10.28524 |
| 1000+: | ¥9.637886 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥30.00