货期: 8周-10周
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥11.192087 | ¥11192.09 |
2000 | ¥11.0322 | ¥22064.40 |
5000 | ¥10.232765 | ¥51163.83 |
10000 | ¥9.833047 | ¥98330.47 |
25000 | ¥9.593216 | ¥239830.40 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 391 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 2.9 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0SIHA11N80AE-GE3
型号:SIHA11N80AE-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥11.192087 |
2000+: | ¥11.0322 |
5000+: | ¥10.232765 |
10000+: | ¥9.833047 |
25000+: | ¥9.593216 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00