SIHA11N80AE-GE3
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- 制造商编号：
- SIHA11N80AE-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET E SERIES THIN-LEAD TO-220
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥12.832572 | ￥12832.57 |
| 2000 | ￥12.64925 | ￥25298.50 |
| 5000 | ￥11.732637 | ￥58663.19 |
| 10000 | ￥11.27433 | ￥112743.30 |
| 25000 | ￥10.999347 | ￥274983.67 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 391 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导（Min） 2.9 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SIHA11N80AE-GE3 同类别型号
注
SIHA11N80AE-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHA11N80AE-GE3
数据手册PDF。
SIHA11N80AE-GE3
型号：SIHA11N80AE-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥12.832572 |
| 2000+： | ￥12.64925 |
| 5000+： | ￥11.732637 |
| 10000+： | ￥11.27433 |
| 25000+： | ￥10.999347 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00