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制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 30 V
集电极—基极电压 40 V
发射极 - 基极电压 4 V
饱和电压 -
最大直流电集电极电流 20 mA
耗散功率 100 mW
增益带宽产品 550 MHz
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6 mg
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02SC4215-O(TE85L,F)
型号:2SC4215-O(TE85L,F)
品牌:Toshiba
供货:锐单
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