SIHA11N80AE-GE3
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- 制造商编号：
- SIHA11N80AE-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET E SERIES THIN-LEAD TO-220
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥23.600005 | ￥23.60 |
| 10 | ￥21.19058 | ￥211.91 |
| 25 | ￥19.987104 | ￥499.68 |
| 100 | ￥15.589595 | ￥1558.96 |
| 250 | ￥15.189508 | ￥3797.38 |
| 500 | ￥13.190797 | ￥6595.40 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 391 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 31 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导（Min） 2.9 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
SIHA11N80AE-GE3 同类别型号
注
SIHA11N80AE-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHA11N80AE-GE3、查询SIHA11N80AE-GE3代理商；
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替代型号
、SIHA11N80AE-GE3
数据手册PDF。
SIHA11N80AE-GE3
型号：SIHA11N80AE-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥23.600005 |
| 10+： | ￥21.19058 |
| 25+： | ￥19.987104 |
| 100+： | ￥15.589595 |
| 250+： | ￥15.189508 |
| 500+： | ￥13.190797 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥23.60