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制造商 Toshiba
商标名 MOSV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 300 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 6 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 25 ns
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6.600 mg
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0SSM3K2615TU,LF
型号:SSM3K2615TU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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