货期: 8周-10周
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥11.313175 | ¥11313.17 |
2000 | ¥11.151559 | ¥22303.12 |
5000 | ¥10.343476 | ¥51717.38 |
10000 | ¥9.939433 | ¥99394.33 |
25000 | ¥9.697007 | ¥242425.17 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 391 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导(Min) 2.9 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
购物车
0SIHP11N80AE-GE3
型号:SIHP11N80AE-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥11.313175 |
2000+: | ¥11.151559 |
5000+: | ¥10.343476 |
10000+: | ¥9.939433 |
25000+: | ¥9.697007 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00