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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 114 A
漏源电阻 3.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 90 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 0.74 mm
长度 9.15 mm
宽度 7.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 AUIRF7669L2TR SP001519182
单位重量 176.520 mg
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0AUIRF7669L2TR
型号:AUIRF7669L2TR
品牌:INFINEON
供货:锐单
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