货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥20.145254 | ¥20.15 |
10 | ¥18.071126 | ¥180.71 |
100 | ¥14.523655 | ¥1452.37 |
500 | ¥11.933142 | ¥5966.57 |
1000 | ¥9.887387 | ¥9887.39 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 13 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 54 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
上升时间 43 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 16 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD30N06S2L-13 SP001061280
单位重量 4 g
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0IPD30N06S2L13ATMA4
型号:IPD30N06S2L13ATMA4
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥20.145254 |
10+: | ¥18.071126 |
100+: | ¥14.523655 |
500+: | ¥11.933142 |
1000+: | ¥9.887387 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.15