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IPD30N06S2L13ATMA4

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPD30N06S2L13ATMA4
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
渠道:
digikey

库存 :690

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 20.145254 20.15
10 18.071126 180.71
100 14.523655 1452.37
500 11.933142 5966.57
1000 9.887387 9887.39

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 55 V

漏极电流 30 A

漏源电阻 13 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 54 nC

耗散功率 136 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 21 ns

上升时间 43 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 33 ns

典型接通延迟时间 16 ns

外形参数

高度 2.3 mm

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPD30N06S2L-13 SP001061280

单位重量 4 g

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IPD30N06S2L13ATMA4

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型号:IPD30N06S2L13ATMA4

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:690 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥20.145254
10+: ¥18.071126
100+: ¥14.523655
500+: ¥11.933142
1000+: ¥9.887387

货期:7-10天

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