IGT60R190D1SATMA1
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- 制造商编号：
- IGT60R190D1SATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- IC GAN FET 600V 23A 8HSOF
- 渠道：
- digikey
库存 ：262
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥185.31147 | ￥185.31 |
| 10 | ￥170.364711 | ￥1703.65 |
| 25 | ￥163.300775 | ￥4082.52 |
| 100 | ￥141.230575 | ￥14123.06 |
| 250 | ￥136.817669 | ￥34204.42 |
| 500 | ￥127.990721 | ￥63995.36 |
| 1000 | ￥117.398357 | ￥117398.36 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolGaN
商标 Infineon Technologies
产品 CoolGaN
技术类参数
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 12.5 A
漏源电阻 190 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 3.2 nC
耗散功率 55.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IGT60R190D1S SP001701702
单位重量 745 mg
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注
IGT60R190D1SATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IGT60R190D1SATMA1
数据手册PDF
。
IGT60R190D1SATMA1
型号：IGT60R190D1SATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：262 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥185.31147 |
| 10+： | ￥170.364711 |
| 25+： | ￥163.300775 |
| 100+： | ￥141.230575 |
| 250+： | ￥136.817669 |
| 500+： | ￥127.990721 |
| 1000+： | ￥117.398357 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥185.31