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SIR626ADP-T1-RE3

SILICONIX(威世)
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制造商编号:
SIR626ADP-T1-RE3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 6.56794 19703.82
6000 6.092003 36552.02
15000 5.854035 87810.52
30000 5.71124 171337.20

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 165 A

漏源电阻 1.75 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 3.5 V

栅极电荷 55 nC

耗散功率 104 W

通道模式 Enhancement

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

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SIR626ADP-T1-RE3

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型号:SIR626ADP-T1-RE3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥6.56794
6000+: ¥6.092003
15000+: ¥5.854035
30000+: ¥5.71124

货期:1-2天

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