货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥89.011672 | ¥89.01 |
10 | ¥74.709798 | ¥747.10 |
100 | ¥60.435069 | ¥6043.51 |
500 | ¥53.720474 | ¥26860.24 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 48 A
漏源电阻 49 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 67 nC
耗散功率 164 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 23 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R060P7 SP001664882
单位重量 4 g
购物车
0IPB60R060P7ATMA1
型号:IPB60R060P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥89.011672 |
10+: | ¥74.709798 |
100+: | ¥60.435069 |
500+: | ¥53.720474 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥89.01