SISA35DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISA35DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V PK 1212-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：6015
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.2 V
栅极电荷 28 nC
耗散功率 24 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导（Min） 25 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 26 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SISA35DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISA35DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SISA35DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISA35DN-T1-GE3
型号：SISA35DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：6015 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00