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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 165 A
漏源电阻 1.75 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 55 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0SIR626ADP-T1-RE3
型号:SIR626ADP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00