
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥5.355919 | ¥16067.76 |
| 6000 | ¥5.15459 | ¥30927.54 |
| 9000 | ¥4.983926 | ¥44855.33 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 81 A
漏源电阻 6.1 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 46.1 nC
耗散功率 100 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns, 10 ns
正向跨导(Min) 75 S
上升时间 7 ns, 8 ns
晶体管类型 1 N - Channel
典型关闭延迟时间 25 ns, 28 ns
典型接通延迟时间 17 ns, 21 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
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0SIR104ADP-T1-RE3
型号:SIR104ADP-T1-RE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥5.355919 |
| 6000+: | ¥5.15459 |
| 9000+: | ¥4.983926 |
货期:1-2天
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