SI2333DS-T1-E3
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- 制造商编号：
- SI2333DS-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：38919
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.858339 | ￥11.86 |
| 10 | ￥10.258177 | ￥102.58 |
| 100 | ￥7.103574 | ￥710.36 |
| 500 | ￥5.935741 | ￥2967.87 |
| 1000 | ￥5.051652 | ￥5051.65 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11.5 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2333DS-T1-BE3 SI2333DS-T1
单位重量 8 mg
SI2333DS-T1-E3 同类别型号
注
SI2333DS-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SI2333DS-T1-E3、查询SI2333DS-T1-E3代理商；
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替代型号
、SI2333DS-T1-E3
数据手册PDF。
SI2333DS-T1-E3
型号：SI2333DS-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：38919 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.858339 |
| 10+： | ￥10.258177 |
| 100+： | ￥7.103574 |
| 500+： | ￥5.935741 |
| 1000+： | ￥5.051652 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.86