货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥10.342397 | ¥10.34 |
10 | ¥8.946797 | ¥89.47 |
100 | ¥6.19547 | ¥619.55 |
500 | ¥5.176931 | ¥2588.47 |
1000 | ¥4.405861 | ¥4405.86 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 5.3 A
漏源电阻 32 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 11.5 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 45 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 72 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2333DS-T1-BE3 SI2333DS-T1
单位重量 8 mg
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0SI2333DS-T1-E3
型号:SI2333DS-T1-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥10.342397 |
10+: | ¥8.946797 |
100+: | ¥6.19547 |
500+: | ¥5.176931 |
1000+: | ¥4.405861 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥10.34