货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥86.862846 | ¥86.86 |
10 | ¥78.460751 | ¥784.61 |
25 | ¥74.80831 | ¥1870.21 |
100 | ¥62.034653 | ¥6203.47 |
250 | ¥58.385671 | ¥14596.42 |
500 | ¥54.736691 | ¥27368.35 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 255 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R099CP SP000088490
单位重量 4 g
购物车
0IPB60R099CPATMA1
型号:IPB60R099CPATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥86.862846 |
10+: | ¥78.460751 |
25+: | ¥74.80831 |
100+: | ¥62.034653 |
250+: | ¥58.385671 |
500+: | ¥54.736691 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥86.86