BSZ12DN20NS3GATMA1
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- 制造商编号：
- BSZ12DN20NS3GATMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：3884
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.803614 | ￥20.80 |
| 10 | ￥18.537743 | ￥185.38 |
| 100 | ￥14.4552 | ￥1445.52 |
| 500 | ￥11.940746 | ￥5970.37 |
| 1000 | ￥9.426953 | ￥9426.95 |
| 2000 | ￥8.798471 | ￥17596.94 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
BSZ12DN20NS3GATMA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
包装
Digi-Reel®
Alternate Packaging
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
125mOhm @ 5.7A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
8.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
680pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封装/外壳
8-PowerTDFN
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注
BSZ12DN20NS3GATMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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。
BSZ12DN20NS3GATMA1
型号：BSZ12DN20NS3GATMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：3884 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥20.803614 |
| 10+： | ￥18.537743 |
| 100+： | ￥14.4552 |
| 500+： | ￥11.940746 |
| 1000+： | ￥9.426953 |
| 2000+： | ￥8.798471 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.80